Усилитель мощностью на транзисторах

Усилитель мощностью на транзисторах этот усилитель мощности представляет собой простую конструкцию, в оконечном каскаде которого установлены транзисторы MOSFET. Преимущество транзисторов заключается в получении более высокого КПД по сравнению с обычными биполярными транзисторами и, следовательно, меньшего рассеивания мощности, которая может быть преобразована в тепло.

Выходная мощность усилитель мощностью на транзисторах 25 Вт / 1 кГц на нагрузки 4 Ом достигается при симметричном напряжении питания ± 20В. Характеристика сбалансирована в диапазоне от 10 Гц до 100 кГц, интермодуляционные искажения составляют 0,1%, отношение сигнал / шум – 65 дБ, входная чувствительность 250 мВ / 1 кГц. Усилитель работает в классе AB. Схема усилителя мощности представлена на рисунке.

Усилитель мощностью на транзисторах

Низкочастотный сигнал подается на входной разъем. Входной конденсатор из пенополистирола C1, резистор R1, R2 и керамический конденсатор C2 определяют входное сопротивление усилителя мощности, который составляет примерно 50 кОм. Конденсатор C2 значительно улучшает стабильность всего усилителя.

Питание входного дифференциального усилителя T1 и T2 в достаточной степени фильтруется резистором R4 и электролитическим конденсатором C4. Рабочий ток этого входного дифференциального транзисторного усилителя устанавливается резистором R3 примерно на 1,5 мА. С дифференциального усилителя низкочастотный сигнал через резистор R5 поступает на базу транзистора T3. Рабочая точка транзистора T3 и симметрия выхода устанавливаются подстроечным резистором P1.

Этот транзистор работает в классе А, он же транзистор возбуждения силовых транзисторов Т4 и Т5. Симметрия на выходе достигается путем подключения бутстрапа для управления транзистора T4. Компоненты C5, R11 и R12 позволяют транзистору T3 работать в режиме почти постоянного тока. Диод D1 предотвращает попадание полного напряжения питания на транзистор T4. Транзистор T6 с резисторами R8, R9 и подстроечным резистором P2 создают смещение оконечных транзисторов T4 и T5. С помощью подстроечного резистора P2 нужно установить ток покоя оконечных транзисторов в диапазоне от 90 до 100 мА (класс AB).

С выхода усилитель мощностью на транзисторах через резистор R7 на базу транзистора Т2 подается отрицательная обратная связь по напряжению. Последовательная комбинация R6, C3 определяет коэффициент усиления усилителя (82x), то есть R7 / R6 и электролитический конденсатор C3 гальванически разделяют эту обратную связь и в то же время улучшает частотную характеристику в низкочастотном диапазоне.

Этот коэффициент усиления по напряжению может быть изменен в определенных пределах за счет величины сопротивления резистора R7 (от 33 до 47 кОм). Меньшее усиление означает лучшую стабильность с меньшим искажением сигнала и наоборот. RC-цепь R13 и C6 на выходе частично ограничивает усиление на самых высоких частотах, и в основном предотвращает возбуждение усилителя.

Стабильность также значительно обеспечивается электролитическими конденсаторами C7 и C10, керамическими конденсаторами C8 и C9 (включенными рядом с выводом питания) и 10 омными резисторами (R14 и R15), подключенными к управляющим электродам транзисторов T4 и T5. Акустическая система с сопротивлением 4 Ом подключается к выходной разъему. Ну вот кратко о простом усилитель мощностью на транзисторах.

 

Закладка Постоянная ссылка.

Добавить комментарий

  •