Тракт пч трансивера предназначен для коротковолнового трансивера построенного по схеме супергетеродина с однократным преобразванием частоты. Тракт работает с промежуточной частотой 10 МГц, величина которой определяется частотой полосы кварцевого фильтра и частотой опорного генератора, используемого для модуляции и демодуляции. Работа c SSB сигналами.
УКВ усилитель мощности на транзисторе для местных связей на УКВ до 100 км был разработан и изготовлен на транзисторе КТ931.
Схема УКВ усилитель мощности на транзисторе достаточно проста (рис.) и объяснения не требует.
Кв радиостанция может работать в телеграфном режиме (СW), с амплитудной модуляцией (AM) или однополосным сигналом (SSB) во всех любительских КВ диапазонах выходная мощность передатчика — 50 вт.
Передатчик кв радиостанция автоматически настраивается на частоту принимаемого сигнала. Это значительно облегчает работу особенно на SSВ, так как в этом случае частота передатчика должна соответствовать частоте, на которой работает корреспондент. Кроме того, предусмотрена возможность подcтройки частоты приемника в пределах ±5 кгц.
Схема:
SSB Трансивер на 80 метров не плохо эксплуатируется. На нем проведено много связей, причем корреспонденты неизменно оценивали качество сигнала как хорошее.
Мощность передатчика трансивера — около 0,5 Вт, чувствительность приемника при отношении сигнал/шум 10 дБ—не хуже 1 мкВ. Внешний вид трансивера показан на рис.
Принципиальная схема трансивера представлена на рис.
Широкополосный усилитель КВ радиостанции рассчитан на работу с трансивером Дроздова (RA3AO) или другим с аналогичными параметрами передающего тракта
Имеет следующие технические характеристики:
Усилитель мощности на IRF630 для КВ радиостанции.
Усилитель мощности на IRF630 для КВ радиостанции за основу усилителя были взяты IRF630 как наиболее дешёвые и распространенные транзисторы. Цена их колеблется от 0,45 до 0,7 $.
Их основные характеристики: UCи макс = 200 В; 1с макс. = 9 А ; U3и макс = ±20 В; S = 3000 мА/В; Сзи = 600…850 пФ (в зависимости от фирмы изготовителя); Сси — не более 250 пФ (реально измеренная Сси на 10 транзисторах разных фирм производителей — около 210 пФ); рассеиваемая мощность Рс — 75 Вт.